RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
60
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
60
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2813
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link