RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2684
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link