RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
17.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
36
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3552
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link