RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
39
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3233
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link