RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
17.6
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
4322
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link