RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2968
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link