RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3845
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link