RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
43
Velocità di lettura, GB/s
17.6
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2501
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link