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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR3
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
17.6
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
5.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
12800
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1415
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
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