RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
56
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
56
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1964
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link