RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
52
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
52
Velocità di lettura, GB/s
17.6
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2236
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link