RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
51
Velocità di lettura, GB/s
17.6
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link