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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
46
Velocità di lettura, GB/s
17.6
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2571
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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