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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Confronto
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.2
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
13.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
18.5
22.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3341
3871
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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