RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3183
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link