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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
15.8
15.5
写入速度,GB/s
11.8
13.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3183
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
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