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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
15.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3423
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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