RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3423
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link