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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
36
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
34
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2908
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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