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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
3515
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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