RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Confronto
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
25
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
2169
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link