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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
23
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
20
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2965
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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