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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
23
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
20
读取速度,GB/s
13.4
18.5
写入速度,GB/s
8.0
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2965
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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