RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
27
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3587
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link