RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
63
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
38
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2148
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link