RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
63
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2148
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link