RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno 39% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
38
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2429
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link