RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de 39% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2429
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link