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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
36
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
2474
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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