RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
36
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2474
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link