RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
23
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3327
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link