RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Confronto
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
29
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2269
3582
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link