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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2583
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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