RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2583
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link