RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3149
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link