RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2870
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link