RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4565
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link