RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2780
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link