RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
23
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.1
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
23.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
21.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4565
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link