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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3149
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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