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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
16.8
写入速度,GB/s
7.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3258
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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