Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 33
    Intorno 30% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.6 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.0 left arrow 8.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    23 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 13.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 11.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2269 left arrow 2608
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