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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
13.4
13.6
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2608
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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