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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
11.7
18.9
写入速度,GB/s
7.2
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
3184
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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