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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3398
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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