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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

总分
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AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G1601U1 4GB 需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 67
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.5 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    998 left arrow 1998

AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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