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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
67
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
58
读取速度,GB/s
6.8
18.5
写入速度,GB/s
3.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1998
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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