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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.6
15.1
写入速度,GB/s
12.0
12.3
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2939
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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