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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2966
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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