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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
3406
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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