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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2404
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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